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LK-AMPD-S Fotodiodo InGaAs a microonde amplificato ad alta velocità
- Alta velocità, ampia larghezza di banda
- Bias-T incorporato
- O/E ibrido integrato
- Alto guadagno, basso rumore, banda larga
- Connettore SMA ermeticamente sigillato
- Bassa corrente di buio, elevato rapporto segnale/rumore.
- Fattore di forma ridotto.
Ürün Açıklaması
LK-AMPD-S è un ibrido tra un fotodiodo InGaAs e un amplificatore a basso rumore, progettato per un'ampia risposta ottica da 1000 a 1650 nm e con un guadagno RF di 15 dB. Offre prestazioni ad alta velocità con larghezze di banda di 12 GHz e 18 GHz ed è alimentato da un alimentatore a +5 V.
Questo modulo è compatibile con la fibra monomodale standard da 9/125μm e dispone di un connettore SMA con un'impedenza di 50 ohm.
LK-AMPD-S è sigillato ermeticamente per la tutela dell'ambiente e ha un design leggero, con una massa inferiore a 23 grammi. È conforme alla Direttiva RoHS 2.0 sulla restrizione delle sostanze pericolose, garantendo la sostenibilità ambientale e il rispetto di rigorosi standard di sicurezza.
Specifiche tecniche
| Valutazione massima tipica e assoluta | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parametro | sim. | tipo | Valutazione | Unità |
| Intervallo di temperatura di conservazione | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Intervallo di temperatura del caso operativo | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| Tensione di polarizzazione | VR | +5 | +5 ～ +9 | V |
| Potenza di ingresso ottica | Pin | 0 | +10 | dBm |
| Potenza ottica bruciata | PB | - | +13 | dBm |
| Temperatura di saldatura del piombo | Tp | 280（10s） | 330（10s） | ℃ |
| Caratteristiche elettriche/ottiche ( TC = 22 ± 3 ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parametro | sym | Condizione di test | Valori dei parametri | Unità | ||
| Gamma di lunghezze d'onda | λ | - | 1000 ～ 1650 | nm | ||
| Intervallo di frequenze | - | - | Banda X | Banda Ku | - | |
| Piccola larghezza di banda del segnale | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | Da 0 a 3 | Da 0 a 8 | GHz | |
| Reattività | Re | VR =+5V, Pin =10mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Planarità dell'ampiezza | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Potenza ottica di saturazione | Ps | VR =+ 5 V, λ = 1550 nm Modulato in corrente alternata |
10 | dBm | ||
| Guadagno del segnale RF (tipico) | G | - | 15 ± 1 | dB | ||
| Potenza di uscita RF di saturazione | Psu | - | +3 | dBm | ||
| Uscita VSWR | ROS | - | ≤ 2 | - | ||
| Impedenza di uscita | RL | - | 50 | Ω | ||
● Curve di risposta tipiche
（ Fig. 1 Risposta in frequenza del fotodiodo a banda X）
（ Fig. 2 Risposta in frequenza del fotodiodo a banda Ku）
●Dimensioni e perni (Unità: mm [pollici])
Connettore RF: SMA
●Codice di ordinazione
Foglio 1:
| Code | Guadagno del segnale RF | osservazione |
| S | 15 dB | Frequenza tipica e centrale |
Foglio 2:
| Code | Larghezza di banda analogica |
| X | Da 0 a 3 GHz |
| Ku | 0 ~ 8 GHz |
Foglio 3:
| Code | Tipo connettore | osservazione |
| N | Nessun connettore | Pigtail in fibra monomodale 9/125 μm |
| A | FC/APC | |
| P | FC / PC |
● Precauzioni
Raggio di curvatura della fibra non inferiore a 20 mm per evitare danni alla fibra.
Assicurarsi che la faccetta di accoppiamento della fibra sia pulita prima di collegarla al circuito ottico.
È richiesta un'adeguata protezione ESD durante lo stoccaggio, il trasporto e l'utilizzo.
Tutti i nostri fotodetector standard possono essere personalizzati in moduli!
Applicazioni
Elaborazione delle informazioni radar
Guerra elettronica
Misurazione dell'antenna
Comunicazioni in fibra ottica
Sicurezza e sorveglianza
